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李小姐 
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何先生
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型号/规格:AO4406A 品牌/商标:AOS 封装形式:SOIC-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:中功率 FET 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:30 V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
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型号/规格:CSD22204W 品牌/商标:TI 封装形式:DSBGA-9 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 FET 类型:P 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:8V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
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型号/规格:BSS123LT1G 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 FET 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:100 V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 描述:功率 MOSFET 170 mA，N 沟道
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型号/规格:FCH110N65F-F155 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:TO-247-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:管装 功率特征:大功率 FET 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:650 V 驱动电压:10V 功率耗散（最大值）:357W（Tc 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
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型号/规格:IRFR014TRPBF 品牌/商标:VISHAY(威世) 封装形式:DPAK 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:中功率 FET 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:60 V 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），25W（Tc） 驱动电压:10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
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型号/规格:IRFR014TRLPBF 品牌/商标:VISHAY(威世) 封装形式:TO-252 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 FET 类型:N 通道 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），25W（Tc） 驱动电压:10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
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型号/规格:IRF3710STRLPBF 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 封装形式:TO-263-2 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 批次:23+
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型号/规格:AO3415 品牌/商标:AOS 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征: 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
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型号/规格:IRF740STRLPBF 品牌/商标:VISHAY(威世) 封装形式:TO-263-2 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:
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型号/规格:IPD80R1K4P7 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 封装形式:PG-TO252-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:
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型号/规格:IRFR9220TRLPBF 品牌/商标:VISHAY(威世) 封装形式:TO-252 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:
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型号/规格:AO3401A 品牌/商标:WINSOK(微硕) 封装形式:SOT-23-3L 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:
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